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다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널

Name: 다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

모든 제품

인버터 IGBT
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고전력 IGBT
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고전력 MOSFET
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슈퍼 융합 MOSFET
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고전압 MOSFET
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고전력 반도체
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실리콘 카바이드 MOSFET
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실리콘 카비드 SBD
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다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널

큰 이미지 : 다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널

제품 상세 정보:

원래 장소:	중국
브랜드 이름:	Lingxun
인증:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
문서:	About Lingxun(1).pdf

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량:	주문 요구 사항에 따라
가격:	According to your order requirement
포장 세부 사항:	Tube+Carton
배달 시간:	주문 요구 사항에 따라
지불 조건:	T/T
공급 능력:	600KK/년

접촉

다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널

설명

전압:	고전압	장점:	안정적인 공정과 신뢰할 수 있는 품질
접합 커패시턴스:	저조한 연결 용량	효율성:	고효율
특징:	칩 면적당 낮은 RDS(on)(낮은 FOM)	신청서:	태양광 인버터, AC-DC 전원 공급 장치
강조하다:	고전력 반도체 N 채널 , 높은 전력 N 채널 , N 채널 고전력 반도체

다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널

특징

• 낮은 게이트 요금

• 낮은 RDS (전동) 칩 영역 (Low FOM) 당

• 매우 낮은 전환 및 전도 손실

• 극도로 높은 전환 강도

응용 프로그램

• 태양광 인버터

• LCD/LED/PDP TV

• 통신/서버 전원 공급

• AC-DC 전원 공급

태그:

고전압 반도체,

고전력 MOSFET,

고전력 IGBT

연락처 세부 사항

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

담당자: Mrs. Qinqin

전화 번호: +8618988720515

팩스: 86-189-8872-0515

기타 제품

11A 650V 340mΩ TO-252 스위치 충전기용 고전력 MOSFET

ID: 11A

VDS: 650V

RDSON 유형 VGS=10V: 340mΩ

작동 온도 범위 (트제이): +150' Ｃ에 대한 -50' Ｃ

낮은 누출량을 가진 고전압 N형 고전력 반도체

온도 저항성: 고온 저항

종류: 엔

높은 빛: 고전압 전력 반도체는 신속한 스위칭 기능과 강력한 열 관리를 통해 고전압과 전류를 효율적으로 처리하는 능력이 특징입니다. 전력 생산부터 다양한 산업 분야에 걸쳐 적용됩니다.

접합 커패시턴스: 저조한 연결 용량

TO-220F 금속산화 반도체 필드 효과 트랜지스터 15A 600V 274mΩ

ID: 15A

VDS: 600V

RDSON 유형 VGS=10V: 274mΩ

신청서: 태양광 인버터, LCD/LED/PDP TV, 통신/서버 전원 공급 장치

저 스위칭 고전력 반도체 15A 650V 238mΩ DC-DC 변환기

ID: 15A

드레인-소스 전압: 650V

RDSON 유형 VGS=10V: 238mΩ

신청서: 태양광 인버터, LCD/LED/PDP TV, 통신/서버 전원 공급 장치

20A 650V 150mΩ 스위치 모드 전원 공급 장치에 대한 냉각 MOS

ID: 20A

드레인-소스 전압: 650V

RDSON 유형 VGS=10V: 150mΩ

신청서: 소프트 스위칭 토폴로지, 통신 및 서버 전원 공급 장치

다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널

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슈퍼 융합 MOSFET

저전압 MOSFET

고전압 MOSFET

쇼트키 배리어 다이오드

빠른 회복 다이오드

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20A 650V 150mΩ 스위치 모드 전원 공급 장치에 대한 냉각 MOS

실리콘 카비드 SBD

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인버터 IGBT

15A 1200V 인버터 IGBT 단회로 자동차 운전자를 위해 시간 10μS를 견딜 수 있습니다.

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